IRF7493

Купить со склада от 22,60 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF7493@INFIN PDF даташит
Аналоги товара:
Масса товара:
0 грамм
IRF7493 фото 1 IRF7493 фото 1
IRF7493 фото 2 IRF7493 фото 2
IRF7493 фото 3 IRF7493 фото 3
IRF7493
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF7493
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Quad Drain, Triple Source
Dimensions
5.00 x 4.00 x 1.50 mm
Forward Diode Voltage
1.3 V
Forward Transconductance
13 S
Height
1.5 mm
Length
5 mm
Maximum Continuous Drain Current
9.3 A
Maximum Drain Source Resistance
15 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +150 °C
Package Type
SO-8
Pin Count
8
Typical Gate Charge @ Vgs
35 nC &&64; 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
1510 pF &&64; 25 V
Typical Turn On Delay Time
8.3 ns
Typical TurnOff Delay Time
30 ns
Width
4 mm
обновлено 2017-03-05 09:04:06
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 263212 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 22.60RUB руб. Купить

Доступное количество: 23389 шт.

IRF7493%40INFIN