IRF6617
Купить со склада от 596,00 рубТранзистор N-МОП, полевой, 30В, 14А, 42Вт, DIRectFET
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Масса товара:
0.185 грамм
Анализ рынка IRF6617@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
Сегодня
1332
от 1332
1 216,00 p
Склад
22
20
от 10
596,00 p
Склад
Склад
Склад
Склад
Технические характеристики IRF6617
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Technology
DirectFET
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
30
Maximum Gate Source Voltage - (V)
?20
Maximum Continuous Drain Current - (A)
14
Material
Si
Maximum Gate Threshold Voltage - (V)
2.35
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
8.1@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
11@4.5V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
1300@15V
Maximum Power Dissipation - (mW)
2100
Minimum Operating Temperature - (?C)
-40
Maximum Operating Temperature - (?C)
150
Typical Output Capacitance - (pF)
430
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
7
Supplier Package
Direct-FET ST
Life Cycle
Active
Military Qualified
No
Automotive
No
обновлено 19-04-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
263165
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 596.00RUB руб. Купить
Доступное количество: 2684 шт.
IRF6617%40INFIN