IRF6218

Купить со склада от 62,90 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF6218@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
IRF6218 фото 1 IRF6218 фото 1
IRF6218 фото 2 IRF6218 фото 2
IRF6218 фото 3 IRF6218 фото 3
IRF6218
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF6218
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
Configuration
Single
Dimensions
10.54 x 4.69 x 15.24 mm
Forward Diode Voltage
-1.6 V
Forward Transconductance
11 S
Height
15.24 mm
Length
10.54 mm
Maximum Continuous Drain Current
-27 A
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
-150 V
Maximum Gate Source Voltage
± 20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Power Dissipation
250 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +175 °C
Package Type
TO-220AB
Pin Count
3
Series
HEXFET® Series
Typical Gate Charge @ Vgs
71 nC &&64; -10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
2210 pF &&64; -25 V
Typical Turn On Delay Time
21 ns
Typical TurnOff Delay Time
35 ns
Width
4.69 mm
обновлено 2017-03-05 09:04:06
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 263151 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 62.90RUB руб. Купить

Доступное количество: 20852 шт.

IRF6218%40INFIN