IRF6216

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF6216@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IRF6216 фото 1 IRF6216 фото 1
IRF6216 фото 2 IRF6216 фото 2
IRF6216 фото 3 IRF6216 фото 3
IRF6216
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF6216
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
SO-8
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 150 V
Id - Continuous Drain Current
- 2.2 A
Rds On - Drain-Source Resistance
240 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
- 5 V
Qg - Gate Charge
33 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Brand
Infineon IR
Configuration
Single Quad Drain Triple Source
Fall Time
26 ns
Forward Transconductance - Min
2.7 S
Height
1.75 mm
Length
4.9 mm
Pd - Power Dissipation
2.5 W
Rise Time
15 ns
Factory Pack Quantity
3800
Transistor Type
1 P-Channel
Type
Smps Mosfet
Typical Turn-Off Delay Time
33 ns
Typical Turn-On Delay Time
18 ns
Width
3.9 mm
Unit Weight
0.019048 oz
обновлено 2017-07-23 07:31:09
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 263150 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 199910 шт.

IRF6216%40INFIN