IRF3805S-7P

Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 55В, 240А, 300Вт, D2PAK-7

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
IRF3805S-7P

Анализ рынка IRF3805S-7P@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики IRF3805S-7P

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Configuration
Single Quint Source
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
55
Maximum Gate Source Voltage - (V)
??20
Maximum Continuous Drain Current - (A)
240
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
2.6@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
130@10V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
130
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
7820@25V
Maximum Power Dissipation - (mW)
300000
Operating Temperature - (??C)
-55~175
Packaging
Tube
Pin Count
7
Supplier Package
D2PAK
Standard Package Name
TO-263
Military
No
Automotive
No
обновлено 19-04-2024
IRF3805S-7P%40INFIN