IRF2907ZS-7P

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF2907ZS-7P@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IRF2907ZS-7P фото 1 IRF2907ZS-7P фото 1
IRF2907ZS-7P фото 2 IRF2907ZS-7P фото 2
IRF2907ZS-7P фото 3 IRF2907ZS-7P фото 3
IRF2907ZS-7P
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF2907ZS-7P
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
Dimensions
10.35 x 10.05 x 4.55 mm
Forward Diode Voltage
1.3 V
Forward Transconductance
94 sec
Height
4.55 mm
Length
10.35 mm
Maximum Continuous Drain Current
180 A
Maximum Drain Source Resistance
3.8 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
75 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Power Dissipation
300 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +175 °C
Package Type
D2PAK
Pin Count
7
Series
HEXFET® Series
Typical Gate Charge @ Vgs
170 nC &&64; 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
7580 pF &&64; 25 V
Typical Turn On Delay Time
21 ns
Typical TurnOff Delay Time
92 ns
Width
10.05 mm
обновлено 2017-07-27 11:00:31
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 263144 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 53 шт.

IRF2907ZS-7P%40INFIN