FQP18N50V2

Купить со склада от 417,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF FQP18N50V2@ONS PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
FQP18N50V2 фото 1 FQP18N50V2 фото 1
FQP18N50V2
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики FQP18N50V2
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Fairchild Semiconductor
Product Category
MOSFETs
RoHS
Product
General Purpose MOSFETs
Configuration
Single
Transistor Polarity
N-Channel
Package Case
TO-220
Drain-Source Breakdown Voltage
500 V
Continuous Drain Current
18 A
Power Dissipation
208000 mW
Forward Transconductance gFS (Max Min)
16 S
Resistance Drain-Source RDS (on)
0.265 Ohm @ 10 V
Typical Fall Time
110 ns
Typical Rise Time
150 ns
Typical Turn-Off Delay Time
95 ns
Packaging
Tube
Gate-Source Breakdown Voltage
+ - 30 V
Maximum Operating Temperature
150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Type
MOSFET
обновлено 2017-03-05 09:04:05
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 262845 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 417.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 740 шт.

FQP18N50V2%40ONS