FQAF13N80

Купить со склада от 181,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF FQAF13N80@ONS PDF даташит
Масса товара:
6 грамм
FQAF13N80 фото 1 FQAF13N80 фото 1
FQAF13N80 фото 2 FQAF13N80 фото 2
FQAF13N80 фото 3 FQAF13N80 фото 3
FQAF13N80
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики FQAF13N80
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Fairchild Semiconductor
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-3P-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
800 V
Id - Continuous Drain Current
8 A
Rds On - Drain-Source Resistance
750 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
30 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Tradename
QFET
Brand
Fairchild Semiconductor
Configuration
Single
Fall Time
110 ns
Forward Transconductance - Min
10.5 S
Height
16.7 mm
Length
15.7 mm
Pd - Power Dissipation
120 W
Rise Time
150 ns
Series
FQAF13N80
Factory Pack Quantity
360
Transistor Type
1 N-Channel
Type
MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
155 ns
Typical Turn-On Delay Time
60 ns
Width
5.7 mm
Part # Aliases
FQAF13N80_NL
Unit Weight
0.245577 oz
обновлено 2017-03-05 09:04:05
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 262844 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 181.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 1346 шт.

FQAF13N80%40ONS