APT65GP60L2DQ2G

Trans IGBT Chip N-CH 600V 198A 833000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX Tube

Worldwide (495)649-84-45 Microchip Technology
Техническая документация:
APT65GP60L2DQ2G

Анализ рынка APT65GP60L2DQ2G@MICROCHIP - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики APT65GP60L2DQ2G

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Standard Package
1
Transistors - IGBTs - Single
Manufacturer
Microsemi Corporation
Series
POWER MOS 7В®
Packaging
Tube
Part Status
Not For New Designs
IGBT Type
PT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Current - Collector (Ic) (Max)
198A
Current - Collector Pulsed (Icm)
250A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 65A
Power - Max
833W
Switching Energy
605ВµJ (on), 895ВµJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
210nC
Td (onoff) @ 25В°C
30ns90ns
Test Condition
400V, 65A, 5 Ohm, 15V
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package Case
TO-264-3, TO-264AA
обновлено 24-03-2024
APT65GP60L2DQ2G%40MICROCHIP