APT65GP60L2DQ2G

Купить со склада от 0,00 руб
Техническая документация:
PDF APT65GP60L2DQ2G@MICROSEMI PDF даташит
APT65GP60L2DQ2G фото 1 APT65GP60L2DQ2G фото 1
APT65GP60L2DQ2G фото 2 APT65GP60L2DQ2G фото 2
APT65GP60L2DQ2G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики APT65GP60L2DQ2G
Standard Package
30
Category
Discrete Semiconductor Products
Family
IGBTs - Single
Series
POWER MOS 7®
Packaging
Tube
IGBT Type
PT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Current - Collector (Ic) (Max)
198A
Current - Collector Pulsed (Icm)
250A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 65A
Power - Max
833W
Switching Energy
605µJ (on), 895µJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
210nC
Td (onoff) @ 25°C
30ns90ns
Test Condition
400V, 65A, 5 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)
-
Package Case
TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
*
Online Catalog
Standard IGBTs
Other Names
APT65GP60L2DQ2GMIAPT65GP60L2DQ2GMI-ND
обновлено 2017-07-23 07:31:08

Данный товар в настоящее время недоступен к поставке со складов.
Если Вы являетесь представителем организации, а товар необходим Вам для разработки или серийного производства, то мы проработаем возможность поставки для вас этого товара.
Для этого, пожалуйста, направьте заявку с указанием требуемого товара, его объемов и Ваших реквизитов на наш емайл zakaz@elitan.ru

APT65GP60L2DQ2G%40MICROSEMI