2N7002LT1G

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF 2N7002LT1G@ONS PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
2N7002LT1G фото 1 2N7002LT1G фото 1
2N7002LT1G фото 2 2N7002LT1G фото 2
2N7002LT1G фото 3 2N7002LT1G фото 3
2N7002LT1G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики 2N7002LT1G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Small Signal MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.01 mm
Forward Diode Voltage
-1.5 V
Forward Transconductance
80 mS
Height
1.01 mm
Length
3.04 mm
Maximum Continuous Drain Current
±115 mA
Maximum Drain Source Resistance
13.5 Ω
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Power Dissipation
225 mW
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +150 °C
Package Type
SOT-23
Pin Count
3
Typical Input Capacitance @ Vds
Maximum of 50 pF &&64; 25 V
Typical Turn On Delay Time
Maximum of 20 ns
Typical TurnOff Delay Time
Maximum of 40 ns
Width
1.4 mm
обновлено 2017-03-05 09:04:05
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 261616 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 14784242 шт.

2N7002LT1G%40ONS