2SK3667

Купить со склада от 39,80 руб
продукт морально устарел Изготовитель сообщает: продукт морально устарел, снят с производства. Не используйте в разработках - скоро исчезнет с рынка.
Worldwide (495)649-84-45 Toshiba
Техническая документация:
PDF 2SK3667@TOSHIBA PDF даташит
Другие
названия этого товара:
2SK3667
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики 2SK3667
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Discrete Semiconductor Products
Family
MOSFETs - Single
Series
*
Mounting Type
Through Hole
FET Polarity
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C
7.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1 Ohm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds
1300pF @ 25V
Power - Max
45W
Packaging
Tube
Gate Charge (Qg) @ Vgs
33nC @ 10V
Package Case
TO-220 (SIS)
FET Feature
Standard
Other Names
2SK3667(Q)
обновлено 2017-07-27 11:00:26
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 199742 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 39.80RUB руб. Купить

Доступное количество: 732 шт.

2SK3667%40TOSHIBA