2SK1489

Купить со склада от 381,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Toshiba
Техническая документация:
PDF 2SK1489@TOSHIBA PDF даташит
Другие
названия этого товара:
2SK1489 фото 1 2SK1489 фото 1
2SK1489
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики 2SK1489
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Toshiba
Product Category
MOSFET
RoHS
Details
Transistor Polarity
N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage
1000 V
Gate-Source Breakdown Voltage
+- 30 V
Continuous Drain Current
12 A
Resistance Drain-Source RDS (on)
1 Ohms
Configuration
Single
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-3P
Packaging
Bulk
Fall Time
150 ns
Power Dissipation
200 W
Rise Time
100 ns
Factory Pack Quantity
25
обновлено 2017-07-23 07:31:04
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 199644 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 381.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 8 шт.

2SK1489%40TOSHIBA