VNB10N07

Купить со склада от 0,00 руб
Техническая документация:
PDF VNB10N07@ST PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
VNB10N07 фото 1 VNB10N07 фото 1
VNB10N07 фото 2 VNB10N07 фото 2
VNB10N07
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики VNB10N07
Категория продукта
Power MOSFET Transistors
RoHS
Нет
Полярность транзистора
N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток
70 V
Id - непрерывный ток утечки
10 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
100 mOhms
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Pd - рассеивание мощности
50 W
Вид монтажа
SMDSMT
Упаковка блок
D2PAK-2
Упаковка
Tube
Торговая марка
STMicroelectronics
Время спада
100 ns
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Время нарастания
80 ns
Серия
VNB10N07
Размер фабричной упаковки
50
Вес изделия
330 mg
обновлено 2017-03-05 09:03:59

Данный товар в настоящее время недоступен к поставке со складов.
Если Вы являетесь представителем организации, а товар необходим Вам для разработки или серийного производства, то мы проработаем возможность поставки для вас этого товара.
Для этого, пожалуйста, направьте заявку с указанием требуемого товара, его объемов и Ваших реквизитов на наш емайл zakaz@elitan.ru

VNB10N07%40ST