VMO580-02F
Модуль; одиночный транзистор; 200В; 580А; Y3-Li; Ugs: ±20В; винтами
Техническая документация:
Анализ рынка VMO580-02F@LITFUSE - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
Склад
Склад
Склад
Склад
Склад
Технические характеристики VMO580-02F
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
IXYS
Series
HiPerFETв„ў
Packaging
Bulk
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
580A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.8 mOhm @ 430A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 50mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
2750nC @ 10V
Vgs (Max)
В±20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
-
Operating Temperature
-40В°C ~ 150В°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Supplier Device Package
Y3-Li
Package Case
Y3-Li
Base Part Number
VMO
обновлено 17-04-2024
VMO580-02F%40LITFUSE