STW26NM50

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 STMicroelectronics
Техническая документация:
PDF STW26NM50@ST PDF даташит
STW26NM50 фото 1 STW26NM50 фото 1
STW26NM50 фото 2 STW26NM50 фото 2
STW26NM50 фото 3 STW26NM50 фото 3
STW26NM50
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики STW26NM50
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
Dimensions
15.75 x 5.15 x 20.15 mm
Forward Diode Voltage
1.5 V
Forward Transconductance
20 S
Height
20.15 mm
Length
15.75 mm
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Resistance
0.12 Ω
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Power Dissipation
313 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +150 °C
Package Type
TO-247
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
76 nC &&64; 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
3000 pF &&64; 25 V
Typical Turn On Delay Time
28 ns
Typical TurnOff Delay Time
13 ns
Width
5.15 mm
обновлено 2017-07-27 11:00:22
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 121919 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 9618 шт.

STW26NM50%40ST