STGE200NB60S

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 STMicroelectronics
Техническая документация:
PDF STGE200NB60S@ST PDF даташит
STGE200NB60S фото 1 STGE200NB60S фото 1
STGE200NB60S фото 2 STGE200NB60S фото 2
STGE200NB60S фото 3 STGE200NB60S фото 3
STGE200NB60S
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики STGE200NB60S
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
IGBT Modules
Manufacturer
STMicroelectronics
RoHS
Details
Configuration
Single Dual Emitter
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.2 V
Continuous Collector Current at 25 C
200 A
Gate-Emitter Leakage Current
+- 100 nA
Pd - Power Dissipation
600 W
Package Case
ISOTOP-4
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Brand
STMicroelectronics
Height
9.1 mm
Length
38.2 mm
Maximum Gate Emitter Voltage
+- 20 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Through Hole
Series
SLLIMM
Factory Pack Quantity
100
Width
25.5 mm
обновлено 2017-07-23 07:31:00
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 121545 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 976 шт.

STGE200NB60S%40ST