SPN04N60S5

Купить со склада от 0,00 руб
Техническая документация:
PDF SPN04N60S5@INFIN PDF даташит
SPN04N60S5 фото 1 SPN04N60S5 фото 1
SPN04N60S5
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики SPN04N60S5
Manufacturer
Infineon
Product Category
MOSFETs
RoHS
Product
General Purpose MOSFETs
Configuration
Single Dual Drain
Transistor Polarity
N-Channel
Package Case
SOT-223
Drain-Source Breakdown Voltage
600 V
Continuous Drain Current
0.8 A
Power Dissipation
1800 mW
Resistance Drain-Source RDS (on)
0.95 Ohm @ 10 V
Typical Fall Time
30 ns
Typical Rise Time
20 ns
Typical Turn-Off Delay Time
130 ns
Packaging
Reel
Gate-Source Breakdown Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
обновлено 2017-07-27 11:00:22

Данный товар в настоящее время недоступен к поставке со складов.
Если Вы являетесь представителем организации, а товар необходим Вам для разработки или серийного производства, то мы проработаем возможность поставки для вас этого товара.
Для этого, пожалуйста, направьте заявку с указанием требуемого товара, его объемов и Ваших реквизитов на наш емайл zakaz@elitan.ru

SPN04N60S5%40INFIN