RFP12N10L

Купить со склада от 93,20 руб

Транзистор N-MOSFET, полевой, logic level, 100В, 12А, 60Вт

Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
RFP12N10L

Анализ рынка RFP12N10L@ONS - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
30
8000
от 1000
93,60 p
Склад
26
6956
от 5000
93,20 p
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
28
1619
от 1000
108,00 p

Технические характеристики RFP12N10L

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
ON Semiconductor
Series
-
Packaging
Tube
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 12A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250ВµA
Vgs (Max)
В±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
900pF @ 25V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
60W (Tc)
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Package Case
TO-220-3
обновлено 20-04-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 116777 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 93.20RUB руб. Купить

Доступное количество: 18210 шт.

RFP12N10L%40ONS