RFD14N05L

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF RFD14N05L@ONS PDF даташит
Аналоги товара:
RFD14N05L фото 1 RFD14N05L фото 1
RFD14N05L фото 2 RFD14N05L фото 2
RFD14N05L фото 3 RFD14N05L фото 3
RFD14N05L
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики RFD14N05L
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Technology
MegaFET
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
50
Maximum Gate Source Voltage - (V)
?10
Maximum Continuous Drain Current - (A)
14
Material
Si
Maximum Gate Threshold Voltage - (V)
2
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
100@5V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
40(Max)@10VI25(Max)@5V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
40(Max)
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
670@25V
Maximum Power Dissipation - (mW)
48000
Minimum Operating Temperature - (?C)
-55
Maximum Operating Temperature - (?C)
175
Typical Output Capacitance - (pF)
185
Packaging
Rail
Pin Count
3
Supplier Package
IPAK
Package Family Name
TO-251
Standard Package Name
TO-251
Life Cycle
Active
Military Qualified
No
Automotive
No
обновлено 2017-07-23 07:30:59
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 116748 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 192516 шт.

RFD14N05L%40ONS