PSMN030-150B

55.5A, 150V, 0.03ohm, N-Channel MOSFET

Worldwide (495)649-84-45 NXP Semiconductors
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
PSMN030-150B

Анализ рынка PSMN030-150B@NXP - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики PSMN030-150B

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Nexperia USA Inc.
Series
TrenchMOSв„ў
Packaging
Cut Tape (CT)
Part Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
55.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
98nC @ 10V
Vgs (Max)
В±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3680pF @ 25V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
250W (Tc)
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK
Package Case
TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB
обновлено 24-03-2024
PSMN030-150B%40NXP