PMBT5551

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 NXP Semiconductors
Техническая документация:
PDF PMBT5551@NXP PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
PMBT5551 фото 1 PMBT5551 фото 1
PMBT5551 фото 2 PMBT5551 фото 2
PMBT5551 фото 3 PMBT5551 фото 3
PMBT5551
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики PMBT5551
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
NXP
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
RoHS
Details
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
SOT-23
Transistor Polarity
NPN
Configuration
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
160 V
Collector- Base Voltage VCBO
180 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Maximum DC Collector Current
0.3 A
Gain Bandwidth Product fT
300 MHz
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Brand
NXP Semiconductors
DC CollectorBase Gain hfe Min
80 at 1 mA at 5 V, 80 at 10 mA at 5 V, 30 at 50 mA at 5 V
DC Current Gain hFE Max
80 at 1 mA at 5 V
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Packaging
Reel
Pd - Power Dissipation
250 mW
Factory Pack Quantity
10000
Part # Aliases
T3 PMBT5551
Unit Weight
0.007090 oz
обновлено 2017-03-05 09:03:57
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 115733 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 357947 шт.

PMBT5551%40NXP