Товаров: 5 043 324 от 3243
изготовителей. Прайс обновлен: 2024-04-18 06:48
SCT20N120
Купить со склада от 1942,00 рубТранзистор N-МОП, полевой, 1,2кВ, 16А, 175Вт, HIP247™
Техническая документация:
Анализ рынка SCT20N120@ST - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
27
6
от 2
2 553,00 p
Склад
26
499
от 120
2 471,00 p
Склад
26
605
от 250
1 942,00 p
Склад
30
611
от 270
4 715,00 p
Склад
33
334
от 250
2 899,00 p
Склад
Технические характеристики SCT20N120
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
STMicroelectronics
RoHS
Details
Technology
SiC
Mounting Style
Through Hole
Package Case
HiP247-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
1.2 kV
Id - Continuous Drain Current
20 A
Rds On - Drain-Source Resistance
215 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
- 10 V, + 25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2 V
Qg - Gate Charge
45 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Brand
STMicroelectronics
Configuration
Single
Fall Time
17 ns
Pd - Power Dissipation
175 W
Rise Time
16 ns
Series
SiC MOSFETs
Factory Pack Quantity
600
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
27 ns
Typical Turn-On Delay Time
10 ns
обновлено 17-04-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
11281745
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 1942.00RUB руб. Купить
Доступное количество: 2055 шт.
SCT20N120%40ST