CSD16411Q3

Купить со склада от 229,00 руб

25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 15 mOhm

Worldwide (495)649-84-45 Texas Instruments
Техническая документация:
CSD16411Q3

Анализ рынка CSD16411Q3@TI - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
Сегодня
3
от 2
229,00 p
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики CSD16411Q3

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Texas Instruments
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
VSON-Clip-8
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
25 V
Id - Continuous Drain Current
60 A
Rds On - Drain-Source Resistance
15 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
16 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2 V
Qg - Gate Charge
2.9 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Reel
Channel Mode
Enhancement
Tradename
NexFET
Brand
Texas Instruments
Configuration
Single
Fall Time
3.1 ns
Forward Transconductance - Min
30 S
Height
1 mm
Length
3.3 mm
Pd - Power Dissipation
2.7 W
Rise Time
7.8 ns
Series
CSD16411Q3
Factory Pack Quantity
2500
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
6 ns
Typical Turn-On Delay Time
5.3 ns
Width
3.3 mm
обновлено 24-03-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 1123690 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 229.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 3 шт.

CSD16411Q3%40TI