MJE253G

Купить со склада от 12,50 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF MJE253G@ONS PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
MJE253G фото 1 MJE253G фото 1
MJE253G фото 2 MJE253G фото 2
MJE253G фото 3 MJE253G фото 3
MJE253G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики MJE253G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Bipolar Power
Configuration
Common Base
Dimensions
7.80 x 3.00 x 11.10 mm
Height
11.1 mm
Length
7.8 mm
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.6 V
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Maximum DC Collector Current
4 A
Maximum Emitter Base Voltage
7 V
Maximum Operating Frequency
40 MHz
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Power Dissipation
15 W
Minimum DC Current Gain
15
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-65 to +150 °C
Package Type
TO-225
Pin Count
3
Transistor Material
Si
Transistor Type
PNP
Width
3 mm
обновлено 2017-04-16 06:13:42
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 107186 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 12.50RUB руб. Купить

Доступное количество: 189291 шт.

MJE253G%40ONS