MJD44H11G

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF MJD44H11G@ONS PDF даташит
Другие
названия этого товара:
MJD44H11G фото 1 MJD44H11G фото 1
MJD44H11G фото 2 MJD44H11G фото 2
MJD44H11G фото 3 MJD44H11G фото 3
MJD44H11G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики MJD44H11G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Configuration
Common Base
Current, Collector
16 A
Current, Gain
40
Dimensions
6.73 x 6.22 x 2.38 mm
Frequency, Operating
85 MHz
Height
2.38 mm
Length
6.73 mm
Material
Si
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Number of Pins
3
Package Type
DPAK
Polarity
NPN
Power Dissipation
20 W
Primary Type
Si
Resistance, Thermal, Junction to Case
6.25 °CW
Temperature, Operating, Maximum
+150 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Temperature, Operating, Range
-55 to +150 °C
Transistor Type
NPN
Type
Power
Voltage, Breakdown, Collector to Emitter
80 V
Voltage, Collector to Emitter
80 V
Voltage, Collector to Emitter, Saturation
1 V
Voltage, Emitter to Base
5 V
Voltage, Saturation, Base to Emitter
1.5 V
Width
6.22 mm
обновлено 2017-07-09 07:16:08
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 107138 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 335203 шт.

MJD44H11G%40ONS