MJD32C1G

Купить со склада от 0,00 руб
Техническая документация:
PDF MJD32C1G@ONS PDF даташит
Другие
названия этого товара:
MJD32C1G фото 1 MJD32C1G фото 1
MJD32C1G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики MJD32C1G
Manufacturer
ON Semiconductor
Product Category
Bipolar Transistors
RoHS
Product
Bipolar Small Signal Power
Configuration
Single
Transistor Polarity
PNP
DC Current Gain hFE Min
25 @ 1A @ 4 V
Maximum Operating Frequency
3 MHz (Min)
Package Case
PDIP-20
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
100 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Maximum DC Collector Current
3 A
Power Dissipation
1560 mW
Maximum Operating Temperature
150 C
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Packaging
Tube
Continuous Collector Current
3 A
обновлено 2017-07-09 07:16:08

Данный товар в настоящее время недоступен к поставке со складов.
Если Вы являетесь представителем организации, а товар необходим Вам для разработки или серийного производства, то мы проработаем возможность поставки для вас этого товара.
Для этого, пожалуйста, направьте заявку с указанием требуемого товара, его объемов и Ваших реквизитов на наш емайл zakaz@elitan.ru

MJD32C1G%40ONS