MJD127G

Купить со склада от 9,73 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF MJD127G@ONS PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
MJD127G фото 1 MJD127G фото 1
MJD127G фото 2 MJD127G фото 2
MJD127G фото 3 MJD127G фото 3
MJD127G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики MJD127G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Configuration
Common Base
Current, Base
120 mA
Current, Collector Cutoff
10 (Base), 10 (Emitter) μA
Current, Continuous Collector
8 A
Current, Gain
100
Current, Output
8 A
Dimensions
6.73 x 2.38 x 6.22 mm
Height
6.22 mm
Length
6.73 mm
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
2
Number of Pins
3
Package Type
DPAK
Polarity
PNP
Power Dissipation
200 W
Primary Type
Si
Resistance, Thermal, Junction to Ambient
71.4 °CW
Temperature, Operating, Maximum
+150 °C
Temperature, Operating, Minimum
-65 °C
Temperature, Operating, Range
-65 to +150 °C
Transistor Type
PNP
Type
Amplifier, Power
Voltage, Collector to Base
100 V
Voltage, Collector to Emitter
100 V
Voltage, Collector to Emitter, Saturation
4 V
Voltage, Emitter to Base
5 V
Voltage, Input
5 V
Voltage, Output
100 V
Voltage, Saturation, Base to Emitter
4.5 V
Width
2.38 mm
обновлено 2017-03-05 09:03:55
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 107116 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 9.73RUB руб. Купить

Доступное количество: 86889 шт.

MJD127G%40ONS