MJD112G

Купить со склада от 12,20 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF MJD112G@ONS PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
MJD112G фото 1 MJD112G фото 1
MJD112G фото 2 MJD112G фото 2
MJD112G фото 3 MJD112G фото 3
MJD112G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики MJD112G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Base Current
50 mA
Configuration
Common Base
Dimensions
6.73 x 2.38 x 6.22 mm
Height
6.22 mm
Length
6.73 mm
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
4 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Cutoff Current
20 (Base), 20 (Emitter) μA
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Maximum Continuous Collector Current
2 A
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Power Dissipation
20 W
Minimum DC Current Gain
200
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
2
Operating Temperature Range
-65 to +150 °C
Package Type
DPAK
Pin Count
3
Transistor Type
NPN
Width
2.38 mm
обновлено 2017-03-05 09:03:55
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 107111 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 12.20RUB руб. Купить

Доступное количество: 172411 шт.

MJD112G%40ONS