MJ11016G

Купить со склада от 149,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF MJ11016G@ONS PDF даташит
Другие
названия этого товара:
MJ11016G фото 1 MJ11016G фото 1
MJ11016G фото 2 MJ11016G фото 2
MJ11016G фото 3 MJ11016G фото 3
MJ11016G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики MJ11016G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Base Current
1 A
Configuration
Dual
Dimensions
39.37 x 8.51 x 26.67 mm
Height
26.67 mm
Length
39.37 mm
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
5 V
Maximum Collector Base Voltage
120 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V
Maximum Collector Emitter Voltage
120 V
Maximum Continuous Collector Current
30 A
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Temperature
+200 °C
Maximum Power Dissipation
200 W
Minimum DC Current Gain
200
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
2
Operating Temperature Range
-55 to +200 °C
Package Type
TO-3
Pin Count
2
Transistor Type
NPN
Width
8.51 mm
обновлено 2017-07-09 07:16:08
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 107043 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 149.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 15078 шт.

MJ11016G%40ONS