MJ11015G

Купить со склада от 612,00 руб

Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200W

Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
Масса товара:
14.75 грамм
MJ11015G

Анализ рынка MJ11015G@ONS - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
Сегодня
8
от 8
1 359,00 p
Склад
1-2
37
от 31
651,00 p
Склад
26
619
от 250
1 016,00 p
Склад
26
804
от 500
1 016,00 p
Склад
 
Склад
3
3
от 2
829,00 p

Технические характеристики MJ11015G

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Base Current
1 A
Configuration
Dual
Dimensions
39.37 x 8.51 x 26.67 mm
Height
26.67 mm
Length
39.37 mm
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
5 V
Maximum Collector Base Voltage
120 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V
Maximum Collector Emitter Voltage
120 V
Maximum Continuous Collector Current
30 A
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Temperature
+200 °C
Maximum Power Dissipation
200 W
Minimum DC Current Gain
200
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
2
Operating Temperature Range
-55 to +200 °C
Package Type
TO-3
Pin Count
2
Transistor Type
PNP
Width
8.51 mm
обновлено 24-03-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 107042 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 612.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 2833 шт.

MJ11015G%40ONS