MUN5335DW1T2G

TRANSISTOR, AEC-Q101, NPN/PNP, SOT-363; Digital Transistor Polarity:NPN and PNP Complement; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:2.2kohm; Base-Emitter Resi

Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
MUN5335DW1T2G

Анализ рынка MUN5335DW1T2G@ONS - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики MUN5335DW1T2G

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
ON Semiconductor
Series
-
Packaging
Tape & Reel (TR)
Part Status
Active
Transistor Type
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Resistor - Base (R1)
2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
47kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300ВµA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA
Frequency - Transition
-
Power - Max
250mW
Mounting Type
Surface Mount
Package Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
SC-88SC70-6SOT-363
Base Part Number
MUN53**DW1
обновлено 17-04-2024
MUN5335DW1T2G%40ONS