BSC020N03LSG

30V 100A 96W 2mOhm@10V,30A 2.2V@250uA N Channel TDSON-8(6x5) MOSFETs ROHS

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
Аналоги товара:
BSC020N03LSG

Анализ рынка BSC020N03LSG@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики BSC020N03LSG

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TDSON-8
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30 V
Id - Continuous Drain Current
100 A
Rds On - Drain-Source Resistance
1.7 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1 V
Qg - Gate Charge
93 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Reel
Channel Mode
Enhancement
Tradename
OptiMOS
Brand
Infineon Technologies
Configuration
1 N-Channel
Fall Time
7 ns
Forward Transconductance - Min
65 S
Height
1.27 mm
Length
5.9 mm
Pd - Power Dissipation
96 W
Rise Time
7 ns
Series
OptiMOS 3
Factory Pack Quantity
5000
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
42 ns
Typical Turn-On Delay Time
11 ns
Width
5.15 mm
Part # Aliases
BSC020N03LSGATMA1 BSC020N03LSGATMA2 SP000959514
обновлено 24-03-2024
BSC020N03LSG%40INFIN