IXTP3N120

Купить со склада от 266.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXTP3N120@IXYS Model PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IXTP3N120 фото 1 IXTP3N120 фото 1
IXTP3N120 фото 2 IXTP3N120 фото 2
IXTP3N120 фото 3 IXTP3N120 фото 3
IXTP3N120
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXTP3N120
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
1200
Maximum Gate Source Voltage - (V)
?20
Maximum Continuous Drain Current - (A)
3
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
4000@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
39@10V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
39
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
1050@25V
Maximum Power Dissipation - (mW)
150000
Minimum Operating Temperature - (?C)
-55
Maximum Operating Temperature - (?C)
150
Pin Count
3
Supplier Package
TO-220
Package Family Name
TO-220
Standard Package Name
TO-220
Life Cycle
Active
Military Qualified
No
Automotive
Unknown
обновлено 2017-01-11 14:29:56
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97766 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 266.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 14519 шт.

IXTP3N120%40IXYS