IXTP01N100D

Купить со склада от 197.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXTP01N100D@IXYS PDF даташит
Масса товара:
4 грамм
IXTP01N100D фото 1 IXTP01N100D фото 1
IXTP01N100D фото 2 IXTP01N100D фото 2
IXTP01N100D фото 3 IXTP01N100D фото 3
IXTP01N100D
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXTP01N100D
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
IXYS
Product Category
MOSFET
RoHS
Details
Id - Continuous Drain Current
100 mA
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
1 kV
Rds On - Drain-Source Resistance
80 Ohms
Transistor Polarity
N-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Pd - Power Dissipation
25 W
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-220-3
Packaging
Tube
Brand
IXYS
Channel Mode
Depletion
Configuration
Single
Fall Time
64 ns
Forward Transconductance - Min
150 mS
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Rise Time
10 ns
Series
IXTP01N100
Factory Pack Quantity
50
Typical Turn-Off Delay Time
30 ns
Unit Weight
0.081130 oz
обновлено 2017-01-11 14:31:06
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97758 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 197.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 2459 шт.

IXTP01N100D%40IXYS