IXTP01N100D

Купить со склада от 964,00 руб

Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1кВ, 0,1А, 25Вт, TO220-3, 2нс

Техническая документация:

📖

PDF
Даташит

📖

PDF
Даташит

Масса товара:

3.55 грамм

IXTP01N100D

Анализ рынка IXTP01N100D@LITFUSE - доступность и цена со складов и из производства:

Источник

Срок (р.д.)

Наличие, шт.

Опт, шт.

Цена опт

Источник

Срок
(р.д.)

Наличие,
шт.

Опт, шт.

Цена
опт

Склад

397

от 250

964,00 p

Склад

от 50

1 012,00 p

Технические характеристики IXTP01N100D

Manufacturer

IXYS

Series

Packaging

Tube

Part Status

Active

FET Type

N-Channel

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

100mA (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110Ohm @ 50mA, 0V

Vgs(th) (Max) @ Id

Vgs (Max)

В±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

120pF @ 25V

FET Feature

Depletion Mode

Power Dissipation (Max)

1.1W (Ta), 25W (Tc)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Mounting Type

Through Hole

Supplier Device Package

TO-220AB

Package Case

TO-220-3

обновлено 19-04-2024

Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97758 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 964.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 448 шт.

IXTP01N100D%40LITFUSE