IXTH8P50

Купить со склада от 408.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXTH8P50@IXYS Model PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IXTH8P50 фото 1 IXTH8P50 фото 1
IXTH8P50 фото 2 IXTH8P50 фото 2
IXTH8P50 фото 3 IXTH8P50 фото 3
IXTH8P50
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXTH8P50
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
IXYS
Product Category
MOSFET
RoHS
Details
Id - Continuous Drain Current
- 8 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 500 V
Rds On - Drain-Source Resistance
1.2 Ohms
Transistor Polarity
P-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
- 5 V
Qg - Gate Charge
130 nC
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Pd - Power Dissipation
180 W
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-247-3
Packaging
Tube
Brand
IXYS
Channel Mode
Enhancement
Configuration
Single
Fall Time
35 ns
Forward Transconductance - Min
4 S
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Rise Time
27 ns
Series
IXTH8P50
Factory Pack Quantity
30
Typical Turn-Off Delay Time
35 ns
Unit Weight
0.229281 oz
обновлено 2017-01-11 14:32:34
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97731 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 408.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 480 шт.

IXTH8P50%40IXYS