IXTH11P50

Купить со склада от 438.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXTH11P50@IXYS Model Model PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IXTH11P50 фото 1 IXTH11P50 фото 1
IXTH11P50 фото 2 IXTH11P50 фото 2
IXTH11P50 фото 3 IXTH11P50 фото 3
IXTH11P50
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXTH11P50
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
IXYS
Product Category
MOSFET
RoHS
Details
Id - Continuous Drain Current
- 11 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 500 V
Rds On - Drain-Source Resistance
750 mOhms
Transistor Polarity
P-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
- 0.122 V
Qg - Gate Charge
130 nC
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Pd - Power Dissipation
300 W
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-247-3
Packaging
Tube
Brand
IXYS
Channel Mode
Enhancement
Configuration
Single
Fall Time
35 ns
Forward Transconductance - Min
5 S
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Rise Time
27 ns
Series
IXTH11P50
Factory Pack Quantity
30
Typical Turn-Off Delay Time
35 ns
Unit Weight
0.229281 oz
обновлено 2017-01-11 14:34:57
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97702 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 438.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 931 шт.

IXTH11P50%40IXYS