IXTA3N120

Купить со склада от 248.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXTA3N120@IXYS Model Model PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IXTA3N120 фото 1 IXTA3N120 фото 1
IXTA3N120 фото 2 IXTA3N120 фото 2
IXTA3N120 фото 3 IXTA3N120 фото 3
IXTA3N120
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXTA3N120
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
IXYS
Product Category
MOSFET
RoHS
Details
Id - Continuous Drain Current
3 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
1.1 kV
Rds On - Drain-Source Resistance
4.5 Ohms
Transistor Polarity
N-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Pd - Power Dissipation
150 W
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
D2PAK-3
Packaging
Tube
Brand
IXYS
Channel Mode
Enhancement
Configuration
Single
Fall Time
18 ns
Forward Transconductance - Min
2.6 S
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Rise Time
15 ns
Series
IXTA3N120
Factory Pack Quantity
50
Typical Turn-Off Delay Time
32 ns
Unit Weight
0.056438 oz
обновлено 2017-01-11 14:31:35
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97697 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 248.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 3778 шт.

IXTA3N120%40IXYS