IXFX34N80

Купить со склада от 1538.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXFX34N80@IXYS PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IXFX34N80 фото 1 IXFX34N80 фото 1
IXFX34N80 фото 2 IXFX34N80 фото 2
IXFX34N80 фото 3 IXFX34N80 фото 3
IXFX34N80
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXFX34N80
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Technology
HiperFET
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
800
Maximum Gate Source Voltage - (V)
?20
Maximum Continuous Drain Current - (A)
34
Material
Si
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
240@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
270@10V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
270
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
7500@25V
Maximum Power Dissipation - (mW)
560000
Minimum Operating Temperature - (?C)
-55
Maximum Operating Temperature - (?C)
150
Pin Count
3
Supplier Package
PLUS 247
Package Family Name
PLUS 247
Standard Package Name
PLUS 247
Life Cycle
NRND
Military Qualified
No
Automotive
Unknown
обновлено 2017-01-11 14:32:49
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97428 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 1538.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 237 шт.

IXFX34N80%40IXYS