IXFT58N20Q

Купить со склада от 884.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXFT58N20Q@IXYS Model PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IXFT58N20Q фото 1 IXFT58N20Q фото 1
IXFT58N20Q фото 2 IXFT58N20Q фото 2
IXFT58N20Q фото 3 IXFT58N20Q фото 3
IXFT58N20Q
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXFT58N20Q
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Technology
HiperFET
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
200
Maximum Gate Source Voltage - (V)
?20
Maximum Continuous Drain Current - (A)
58
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
40@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
98@10V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
98
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
3600@25V
Maximum Power Dissipation - (mW)
300000
Minimum Operating Temperature - (?C)
-55
Maximum Operating Temperature - (?C)
150
Pin Count
3
Supplier Package
TO-268
Package Family Name
TO-268-AA
Standard Package Name
TO-268-AA
Life Cycle
NRND
Automotive
Unknown
обновлено 2017-01-11 14:27:55
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97395 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 884.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 356 шт.

IXFT58N20Q%40IXYS