IXFR90N30

Купить со склада от 1376.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXFR90N30@IXYS Model Model PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IXFR90N30 фото 1 IXFR90N30 фото 1
IXFR90N30 фото 2 IXFR90N30 фото 2
IXFR90N30 фото 3 IXFR90N30 фото 3
IXFR90N30
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXFR90N30
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
IXYS
Product Category
MOSFET
RoHS
Details
Id - Continuous Drain Current
75 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
300 V
Rds On - Drain-Source Resistance
36 mOhms
Transistor Polarity
N-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
4.5 V
Qg - Gate Charge
360 nC
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Pd - Power Dissipation
417 W
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-247-3
Packaging
Tube
Brand
IXYS
Channel Mode
Enhancement
Configuration
Single
Fall Time
40 ns
Forward Transconductance - Min
40 S
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Rise Time
55 ns
Series
IXFR90N30
Factory Pack Quantity
30
Tradename
HiPerFET
Typical Turn-Off Delay Time
100 ns
обновлено 2017-01-11 13:42:26
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97363 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 1376.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 34 шт.

IXFR90N30%40IXYS