IXFN60N60

Купить со склада от 3399.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXFN60N60@IXYS Model PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IXFN60N60 фото 1 IXFN60N60 фото 1
IXFN60N60 фото 2 IXFN60N60 фото 2
IXFN60N60 фото 3 IXFN60N60 фото 3
IXFN60N60
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXFN60N60
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
IXYS
Product Category
MOSFET
RoHS
Details
Brand
IXYS
Id - Continuous Drain Current
60 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
600 V
Rds On - Drain-Source Resistance
75 mOhms
Transistor Polarity
N-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
4.5 V
Qg - Gate Charge
380 nC
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Pd - Power Dissipation
700 W
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
SOT-227-4
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Configuration
Single Dual Source
Fall Time
26 ns
Forward Transconductance - Min
40 S
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Rise Time
52 ns
Series
IXFN60N60
Factory Pack Quantity
10
Tradename
HiPerFET
Typical Turn-Off Delay Time
110 ns
Unit Weight
1.340411 oz
обновлено 2017-01-11 14:32:13
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97322 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 3399.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 30 шт.

IXFN60N60%40IXYS