IXFN55N50

Купить со склада от 0.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXFN55N50@IXYS Model Model PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IXFN55N50 фото 1 IXFN55N50 фото 1
IXFN55N50 фото 2 IXFN55N50 фото 2
IXFN55N50 фото 3 IXFN55N50 фото 3
IXFN55N50
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXFN55N50
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
IXYS
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
SOT-227-4
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
500 V
Id - Continuous Drain Current
55 A
Rds On - Drain-Source Resistance
90 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Brand
IXYS
Configuration
Single
Fall Time
45 ns
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Pd - Power Dissipation
625 W
Rise Time
60 ns
Series
IXFN55N50
Factory Pack Quantity
10
Tradename
HyperFET
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
120 ns
Typical Turn-On Delay Time
45 ns
Unit Weight
1.340411 oz
обновлено 2017-01-11 14:34:44
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97320 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 308 шт.

IXFN55N50%40IXYS