IXFN36N100

Модуль, одиночный транзистор, 1кВ, 36А, SOT227B, Ugs: ±30В, винтами

Worldwide (495)649-84-45 Littelfuse
Техническая документация:
IXFN36N100

Анализ рынка IXFN36N100@LITFUSE - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики IXFN36N100

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
IXYS
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
SOT-227-4
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
1000 V
Id - Continuous Drain Current
36 A
Rds On - Drain-Source Resistance
240 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Brand
IXYS
Configuration
Single Dual Source
Fall Time
30 ns
Forward Transconductance - Min
40 S
Height
9.6 mm
Length
38.23 mm
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Pd - Power Dissipation
700 W
Rise Time
55 ns
Series
IXFN36N100
Factory Pack Quantity
10
Tradename
HyperFET
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
110 ns
Typical Turn-On Delay Time
41 ns
Width
25.42 mm
Unit Weight
1.340411 oz
обновлено 24-03-2024
IXFN36N100%40LITFUSE