IXFN36N100

Купить со склада от 2876.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXFN36N100@IXYS Model Model PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IXFN36N100 фото 1 IXFN36N100 фото 1
IXFN36N100 фото 2 IXFN36N100 фото 2
IXFN36N100 фото 3 IXFN36N100 фото 3
IXFN36N100
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXFN36N100
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
IXYS
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
SOT-227-4
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
1000 V
Id - Continuous Drain Current
36 A
Rds On - Drain-Source Resistance
240 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Brand
IXYS
Configuration
Single Dual Source
Fall Time
30 ns
Forward Transconductance - Min
40 S
Height
9.6 mm
Length
38.23 mm
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Pd - Power Dissipation
700 W
Rise Time
55 ns
Series
IXFN36N100
Factory Pack Quantity
10
Tradename
HyperFET
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
110 ns
Typical Turn-On Delay Time
41 ns
Width
25.42 mm
Unit Weight
1.340411 oz
обновлено 2017-01-11 14:34:30
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97305 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 2876.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 277 шт.

IXFN36N100%40IXYS