IXFN24N100

Купить со склада от 2210.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXFN24N100@IXYS Model Model PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IXFN24N100 фото 1 IXFN24N100 фото 1
IXFN24N100 фото 2 IXFN24N100 фото 2
IXFN24N100 фото 3 IXFN24N100 фото 3
IXFN24N100
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXFN24N100
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Technology
HiperFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
1000
Maximum Gate Source Voltage - (V)
?20
Maximum Continuous Drain Current - (A)
24
Material
Si
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
390@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
267@10V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
267
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
8700@25V
Maximum Power Dissipation - (mW)
568000
Minimum Operating Temperature - (?C)
-55
Maximum Operating Temperature - (?C)
150
Pin Count
4
Supplier Package
SOT-227B
Package Family Name
SOT
Standard Package Name
SOT
Life Cycle
NRND
Military Qualified
No
Automotive
Unknown
обновлено 2017-01-11 14:29:23
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97292 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 2210.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 396 шт.

IXFN24N100%40IXYS