IXFN200N07
Discrete Semiconductor Modules 70V 200A
Техническая документация:
Анализ рынка IXFN200N07@LITFUSE - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
Склад
Склад
Склад
Склад
Склад
Технические характеристики IXFN200N07
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
IXYS
Product Category
MOSFETs
RoHS
Product
General Purpose MOSFETs
Configuration
Single Dual Source
Transistor Polarity
N-Channel
Package Case
SOT-227B
Drain-Source Breakdown Voltage
70 V
Continuous Drain Current
180 A
Power Dissipation
520000 mW
Forward Transconductance gFS (Max Min)
80 s
Resistance Drain-Source RDS (on)
0.007 Ohm @ 10 V
Typical Fall Time
60 ns
Typical Rise Time
60 ns
Typical Turn-Off Delay Time
100 ns
Packaging
Tube
Gate-Source Breakdown Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
обновлено 24-03-2024
IXFN200N07%40LITFUSE