IXFN130N30

Купить со склада от 2580.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXFN130N30@IXYS Model PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IXFN130N30 фото 1 IXFN130N30 фото 1
IXFN130N30 фото 2 IXFN130N30 фото 2
IXFN130N30 фото 3 IXFN130N30 фото 3
IXFN130N30
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXFN130N30
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Technology
HiperFET
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
300
Maximum Gate Source Voltage - (V)
?20
Maximum Continuous Drain Current - (A)
130
Material
Si
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
22@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
380@10V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
380
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
14500@25V
Maximum Power Dissipation - (mW)
700000
Minimum Operating Temperature - (?C)
-55
Maximum Operating Temperature - (?C)
150
Pin Count
4
Supplier Package
SOT-227B
Package Family Name
SOT
Standard Package Name
SOT
Life Cycle
NRND
Military Qualified
No
Automotive
Unknown
обновлено 2017-01-11 13:42:25
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97283 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 2580.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 70 шт.

IXFN130N30%40IXYS