IXFK34N80

Купить со склада от 1167.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXFK34N80@IXYS Model Model PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IXFK34N80 фото 1 IXFK34N80 фото 1
IXFK34N80 фото 2 IXFK34N80 фото 2
IXFK34N80 фото 3 IXFK34N80 фото 3
IXFK34N80
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXFK34N80
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
IXYS
Product Category
MOSFET
RoHS
Details
Brand
IXYS
Id - Continuous Drain Current
34 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
800 V
Rds On - Drain-Source Resistance
240 mOhms
Transistor Polarity
N-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Pd - Power Dissipation
560 W
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-264-3
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Configuration
Single
Fall Time
40 ns
Forward Transconductance - Min
35 S
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Rise Time
45 ns
Series
IXFK34N80
Factory Pack Quantity
25
Typical Turn-Off Delay Time
100 ns
Unit Weight
0.352740 oz
обновлено 2017-01-11 14:34:40
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97241 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 1167.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 141 шт.

IXFK34N80%40IXYS