IXFK180N10

Купить со склада от 1225.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXFK180N10@IXYS PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IXFK180N10 фото 1 IXFK180N10 фото 1
IXFK180N10 фото 2 IXFK180N10 фото 2
IXFK180N10
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXFK180N10
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
IXYS
Product Category
MOSFET
RoHS
Details
Transistor Polarity
N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage
100 V
Gate-Source Breakdown Voltage
+- 20 V
Continuous Drain Current
180 A
Resistance Drain-Source RDS (on)
0.008 Ohms
Configuration
Single
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-264AA
Packaging
Tube
Fall Time
65 ns
Forward Transconductance gFS (Max Min)
90 s
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Power Dissipation
560 W
Rise Time
90 ns
Factory Pack Quantity
25
Typical Turn-Off Delay Time
140 ns
обновлено 2017-01-11 13:54:00
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97225 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 1225.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 82 шт.

IXFK180N10%40IXYS