IXFH58N20

Купить со склада от 615.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXFH58N20@IXYS Model Model PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IXFH58N20 фото 1 IXFH58N20 фото 1
IXFH58N20 фото 2 IXFH58N20 фото 2
IXFH58N20 фото 3 IXFH58N20 фото 3
IXFH58N20
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXFH58N20
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Technology
HiperFET
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
200
Maximum Gate Source Voltage - (V)
?20
Maximum Continuous Drain Current - (A)
58
Material
Si
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
40@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
190@10V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
190
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
4400@25V
Maximum Power Dissipation - (mW)
300000
Minimum Operating Temperature - (?C)
-55
Maximum Operating Temperature - (?C)
150
Pin Count
3
Supplier Package
TO-247AD
Package Family Name
TO-247
Standard Package Name
TO-247
Life Cycle
NRND
Military Qualified
No
Automotive
Unknown
обновлено 2017-01-11 14:29:09
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97189 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 615.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 902 шт.

IXFH58N20%40IXYS