IXFH40N30Q

MOSFET DISCRETE DiscMSFT NCh HiPerFET-Q Class TO-247AD

Worldwide (495)649-84-45 Littelfuse
Техническая документация:
IXFH40N30Q

Анализ рынка IXFH40N30Q@LITFUSE - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики IXFH40N30Q

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Standard Package
30
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
IXYS
Series
HiPerFETв„ў
Packaging
Tube
Part Status
Last Time Buy
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
300V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
140nC @ 10V
Vgs (Max)
В±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3100pF @ 25V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 500mA, 10V
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247AD (IXFH)
Package Case
TO-247-3
обновлено 19-04-2024
IXFH40N30Q%40LITFUSE